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基于LUT的SRAM-FPGA结构研究
基于LUT的SRAM-FPGA结构研究
作者:
李跃进
杨银堂
马群刚
高海霞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
现场可编程门阵列
查找表
SRAM单元
内部结构
优化设计
摘要:
作为微电子工业中发展最迅速的一个领域,现场可编程门阵列(FPGA)的内部结构设计越来越受到业内人士的关注.为此针对目前普遍采用的基于查找表(LUT)的SRAM-FPGA,着重研究了其逻辑模块设计、布线结构设计和输入输出模块设计,同时也对此类FPGA基本结构进行了优化设计.
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篇名
基于LUT的SRAM-FPGA结构研究
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
现场可编程门阵列
查找表
SRAM单元
内部结构
优化设计
年,卷(期)
2003,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
10-14
页数
5页
分类号
TN431
字数
2457字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9490.2003.01.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨银堂
西安电子科技大学微电子研究所
420
2932
23.0
32.0
2
李跃进
西安电子科技大学微电子研究所
70
432
11.0
17.0
3
马群刚
西安电子科技大学微电子研究所
5
45
4.0
5.0
4
高海霞
西安电子科技大学微电子研究所
17
108
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引证文献(2)
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引证文献(2)
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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