45°内反射镜高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备

• 作者: 刘国军 刘维峰 徐莉 曲轶 李梅 李辉 王晓华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 面发射 分子束外延 双晶回摆曲线
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 395-398
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.015

摘要

研究了具有45°内反射镜的0.98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用 MBE 方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C-V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性.在光致发光谱线中我们得到了发射波长0.919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0.911～0.932μm ,双晶回摆曲线、电化学C-V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现.