GaAs和(Cs,O)/GaAs热处理工艺的XPS研究

• 作者: 房红兵 汪贵华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaAs X射线光电子能谱 热净化 氧化 激活
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 307-310
• 页数: 4页
• 分类号: O485|O655.9
• 字数: 2552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.05.003

摘要

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs,O)激活后加热的处理效果.GaAs的氧化过程是:首先,As氧化为低价态,然后Ga被氧化,再就是As氧化为高价.确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中,表面Ga没有被氧化,就可在较低的温度热净化,获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面.净化后GaAs表面Ga含量越高,则(Cs,O)激活后形成氧化物越多,从而形成了界面势垒,使电子逸出概率降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪贵华	南京理工大学电子工程与光电子技术学院	14	54	4.0	6.0
2	房红兵	南京理工大学电子工程与光电子技术学院	15	87	5.0	9.0