钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

• 作者: 刘祥林 朱勤生 李昱峰 王占国 王晓晖 王秀凤 袁海荣 陆大成 陆沅 陈振 韩培德 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 量子点 光学特性
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O472.3
• 字数: 2676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.02.006

摘要

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×1010/cm2.随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大.在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性--超长红移现象.它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应.