基于并联开关技术的低电压FnMOS数字电路开关级设计

• 作者: 姚茂群 沈继忠 蒋征科 陈华华 黄志存
• 来源期刊: 科技通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 集成电路 开关信号理论 低电压电路 多值电路 nMOS电路 并联开关
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 217-221
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.2|TN402
• 字数: 2604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7119.2003.03.010

摘要

在分析了采用低电压工作时数字电路性能下降甚至不能正常工作的原因后,提出了两种适合于低电压nMOS电路设计的串联开关转换成并联开关技术,并从开关级具体设计了低电压三值nMOS电路.对设计的电路进行模拟得到的结果表明,在采用标准工艺参数时,只要工作电压不低于管子阈值,则本文设计的低电压电路不仅具有正确的逻辑功能,而且具有较快的速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈继忠	浙江大学信息与电子工程学系	62	300	10.0	14.0
2	陈华华	浙江大学信息与电子工程学系	10	213	5.0	10.0
3	姚茂群	浙江大学信息与电子工程学系	9	47	4.0	6.0
7	蒋征科	浙江大学信息与电子工程学系	2	7	1.0	2.0
8	黄志存		1	0	0.0	0.0