控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4

• 作者: 万春荣 姜长印 应皆荣 张国昀
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锂离子蓄电池 表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4 控制结晶 Mn3O4 β-Co(OH)2
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 17-19,23
• 页数: 4页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 2960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2003.01.007

摘要

为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4.采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β-Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH*H2O混合,在750 ℃下反应20 h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4.X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相.扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴.这种表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55 ℃下其首次放电比容量为101 mAh*g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%.而尖晶石LiMn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%.