浮栅ROM器件的辐射效应实验研究

• 作者: 李国政 杨海亮 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: FLASH ROM,EEPROM,60Coγ源,单粒子效应,总剂量效应
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 180-187
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 3753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.01.033

摘要

浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明,其31.9MeV质子和14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应,而是一种总剂量效应.浮栅ROM器件的60Coγ辐照实验验证了这一点.器件出现错误有个注量或剂量阈值.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误.器件刚开始出错时,错误数及错误地址都是不确定的.