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摘要:
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集成电路布图知识产权保护的重要性
集成电路
布图
知识产权
CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
集成电路知识产权相关问题的探讨
集成电路
知识产权
布图设计
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 浅析我国集成电路布图设计的知识产权保护--我国集成电路企业应注意的相关问题
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 14-17
页数 4页 分类号 TN4
字数 5523字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.05.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪娣娣 中国政法大学研究生院 2 2 1.0 1.0
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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