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摘要:
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响.当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)中可见,ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化.变温的PL谱表明,Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射.
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退火
ZnO
Cu
透明导电薄膜
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 硒化锌薄膜 Si衬底 ZnO缓冲层 LP-MOCVD
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 61-65
页数 5页 分类号 O484.1
字数 3006字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.01.010
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研究主题发展历程
节点文献
硒化锌薄膜
Si衬底
ZnO缓冲层
LP-MOCVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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