Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

• 作者: 徐传明 徐军 施朝淑 杨晓杰 许小亮 郭常新
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO Si衬底 高温退火 阴极射线荧光 硅酸锌
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 171-176
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1|TN304.1+2|O734+.3
• 字数: 4241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.02.014

摘要

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应.但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm.当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生.因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	中国科学技术大学物理系	290	2418	22.0	34.0
2	许小亮	中国科学院结构分析重点实验室	45	402	12.0	18.0
6	郭常新	中国科学院结构分析重点实验室	22	214	9.0	13.0
10	徐传明	中国科学技术大学物理系	5	58	4.0	5.0
14	杨晓杰	中国科学技术大学物理系	8	76	4.0	8.0