应变Si1-xGex材料掺杂浓度的表征技术

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex材料 四探针 电阻率 掺杂浓度 迁移率模型 表征
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 946-950
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 3539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.011

摘要

在分析研究Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子研究所	83	505	12.0	18.0
5	吕懿	西安电子科技大学微电子研究所	14	99	6.0	9.0
6	舒斌	西安电子科技大学微电子研究所	14	109	8.0	10.0