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摘要:
基于CMOS开关电容技术和FSK过零检测解调技术,采用0.6μm的DPDM CMOS工艺,完成了一种FSK模拟解调集成电路的设计,并采用Cadence和Matlab工具进行仿真.结果表明该设计具有很好的解调灵敏度,达到-43dBm.
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文献信息
篇名 FSK模拟解调集成电路的设计
来源期刊 电路与系统学报 学科 工学
关键词 FSK 开关电容 CMOS 灵敏度
年,卷(期) 2003,(6) 所属期刊栏目 论文
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 TN402
字数 2559字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-0249.2003.06.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子研究所 420 2932 23.0 32.0
2 朱樟明 西安电子科技大学微电子研究所 164 1318 18.0 26.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
FSK
开关电容
CMOS
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统学报
双月刊
1007-0249
44-1392/TN
16开
广东省广州市
1996
chi
出版文献量(篇)
2090
总下载数(次)
5
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