一种新型结构的光电负阻器件

• 作者: 夏克军 李丹 李树荣 郑云光 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电器件 负阻 模拟 晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1078-1083
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.015

摘要

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丹	天津大学电子信息工程学院	28	400	9.0	19.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	李树荣	天津大学电子信息工程学院	38	187	9.0	11.0
4	郑云光	天津大学电子信息工程学院	28	73	6.0	6.0
5	夏克军	天津大学电子信息工程学院	5	10	2.0	2.0