新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

• 作者: 于理科 任永玲 姬成周 李国辉
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直沟道的偶载场效应晶体管 系统级芯片 有效沟道长度
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2003.01.012

摘要

研制了一种新模式的半导体场效应晶体管--垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET),这种结构可以避免现有光刻技术的制约,使用常规的半导体双极晶体管工艺,既可把有效沟道长度减短,大大提高器件的速度,又可将电源电压降低到小于1 V,大幅度降低功耗,改进其电学性能.本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路.从纵向和横向报道了器件的设计思想,并给出了器件特性的测量结果.