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摘要:
在金属腔体内电磁脉冲(IEMP)实验研究中,需要同时测量入射γ剂量率和腔体内的电场、磁场以及TEMP的激励源——Compton电流。Compton电流跟随着γ脉冲变化,它们有相似的波形。其电流密度JC与入射的γ剂量率D(Gy(Si)/s)之间呈线性关系。即JC=fkD式中,f为前端面的γ衰减系数;K为辐照系数,表示γ-Compton电流转换效率。
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文献信息
篇名 辐射环境中探测Compton电子束流的Rogowski线圈
来源期刊 中国工程物理研究院科技年报 学科 工学
关键词 Compton电子束流 ROGOWSKI线圈 金属介质 电磁脉冲 γ衰减系数 辐射测量
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 123-124
页数 2页 分类号 TL622
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研究主题发展历程
节点文献
Compton电子束流
ROGOWSKI线圈
金属介质
电磁脉冲
γ衰减系数
辐射测量
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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中国工程物理研究院科技年报
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四川省绵阳市919信箱805分箱
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