SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计

• 作者: 倪智琪 姚素英 张为 张生才 张维新 赵毅强
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅压力传感器 ANSYS 相对误差 膜厚比 宽长比
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 3204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2003.01.023

摘要

利用有限元分析方法、借助ANSYS软件,对SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟,探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下、宽长比对理论输出的影响,以及应变膜厚度对理论输出的影响,给出了设计应变膜的优化方案;并对根据模拟结果首次制作的SOI单晶硅压力传感器进行了测量,结果与理论值符合得较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
2	张生才	天津大学电子信息工程学院	41	316	11.0	15.0
3	赵毅强	天津大学电子信息工程学院	85	556	13.0	18.0
4	张为	天津大学电子信息工程学院	71	358	10.0	15.0
5	张维新	天津大学电子信息工程学院	10	86	7.0	9.0
6	倪智琪	天津大学电子信息工程学院	1	10	1.0	1.0