AlGaN/GaN HEMT器件的研制

• 作者: 吕长治 张小玲 曹春海 李志国 李拂晓 谢雪松 陈堂胜 陈效建
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 输出特性
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 847-849
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 字数: 1399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.014

摘要

介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大的漏源饱和电流密度为0.95A/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	554	14.0	20.0
3	张小玲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	69	447	11.0	18.0
4	曹春海		2	39	2.0	2.0
5	吕长治	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	51	2.0	2.0
6	李拂晓		1	36	1.0	1.0
7	陈堂胜		1	36	1.0	1.0
8	陈效建		1	36	1.0	1.0