低温异质生长SiC薄膜预处理工艺研究

• 作者: 张志勇 戴琨 王雪文 赵武 邓周虎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 预处理
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.12.014

摘要

讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气源,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微分析(SEM)等分析手段,进行预处理工艺的研究.获得了在低温下700~800℃制备高质量SiC薄膜的预处理工艺参数:热丝碳化温度2 000℃;HF酸蚀30 s;H2刻蚀10 min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
2	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
3	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
4	赵武	西北大学电子科学系	29	269	8.0	15.0
5	戴琨	西北大学电子科学系	6	20	3.0	4.0