高频红外碳硫法测定碳化硅中SiC

• 作者: 宋新艳 魏纯玉
• 来源期刊: 山东冶金
• 学科: 化学
• 关键词: 高频红外碳硫吸收法 碳化硅 预处理 合成标准样品
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 59-60
• 页数: 2页
• 分类号: O657.33
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4620.2003.02.026

摘要

采用对试样进行灼烧预处理的方法,除去游离碳,用高频红外碳硫仪测定碳化硅中的SiC.探讨了锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂的用量,并以纯碳化硅和粘合剂合成的标准样品校正仪器,本方法的相对标准偏差(RSD)为0.73%(n=7).