ZnO掺杂的ZrO2(3Y)纳米复合相材料的中低温电导研究

• 作者: 刘毅 劳令耳 袁望治 黄英才
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钇稳定氧化锆 复合掺杂 复阻抗 电导率
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 308-310
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174|TM911|O441.6
• 字数: 2711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.03.026

摘要

采用交流阻抗技术对掺纳米ZnO的纳米ZrO2(3Y)复合掺杂材料在473～973K温度范围电导率随ZnO第二相质量分数(0.0%～5.0%(质量分数))的变化关系进行了研究.研究发现掺很少量的纳米ZnO(0.5%～1.0%<质量分数)),纳米ZrO2(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加,电导率降低,原因在于缺陷缔合效应和晶界偏聚效应的加剧,阻碍了氧空位的迁移.随着ZnO掺入量的增加(＞1.0%(质量分数)),晶界电阻显著减小,晶粒电阻变化不大,总电导率回升,在中低温范围,总电导活化能与晶界电导活化能具有相同的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁望治	华东师范大学物理系	29	139	6.0	9.0
2	劳令耳	贵州工业大学基础部	16	141	7.0	11.0
3	刘毅	贵州工业大学基础部	14	175	7.0	13.0
4	黄英才	贵州工业大学基础部	5	34	4.0	5.0