pnp型SiGe HBT的制备研究

• 作者: 刘道广 张静 张鹤鸣 徐婉静 王喜媛 郑娥
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: pnp型SiGe HBT 禁带宽度Eg Ge组分 能带
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 34-36,62
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.03.015

摘要

从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGe HBT器件.器件参数为:Vcbo=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5 V,β=1 0.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
2	王喜媛	西安电子科技大学微电子研究所	35	197	6.0	13.0
3	刘道广	重庆固体电子研究所重点实验室	1	5	1.0	1.0
4	郑娥	重庆固体电子研究所重点实验室	1	5	1.0	1.0
5	张静	重庆固体电子研究所重点实验室	1	5	1.0	1.0
6	徐婉静	重庆固体电子研究所重点实验室	1	5	1.0	1.0