CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响

• 作者: 方雅珂 桑文斌 钱永彪 闵嘉华 陶绍军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化碲晶体 CZ法 工艺参数 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 165-169
• 页数: 5页
• 分类号: O782.5
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.02.016

摘要

本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理.从晶体形态、包裹体和位错密度变化等方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学材料学院	53	535	15.0	20.0
2	闵嘉华	上海大学材料学院	54	281	10.0	15.0
3	钱永彪	上海大学材料学院	14	108	6.0	10.0
4	方雅珂	上海大学材料学院	2	14	2.0	2.0
5	陶绍军	上海大学材料学院	1	2	1.0	1.0