一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件

• 作者: 何平 刘理天 李志坚 林曦 江波 王曦 田立林 董业明 陈猛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: DSOI SOI 局域注氧技术 自热效应 热阻
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 592-597
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.006

摘要

为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应,采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合,实现了DSOI结构的器件.测试结果表明,该器件消除了传统SOI器件的浮体效应,同时自热效应得到很大的改善,提高了可靠性和稳定性.而原先SOI器件具备的优点得到了保留.