双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

• 作者: 吴瑞 郑国祥 黄飞鸿
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FLOTOX EEPROM 阈值电压 写入 隧道氧化层
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 637-642
• 页数: 6页
• 分类号: TN402|TN405
• 字数: 3762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.015

摘要

介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0.6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FLOTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑国祥	复旦大学材料科学系	24	138	6.0	10.0
2	黄飞鸿	复旦大学材料科学系	2	12	2.0	2.0
3	吴瑞		2	12	2.0	2.0