硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化

• 作者: 毛军发 潘瑞 王彬
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: SIOS 品质因数 衬底损耗 优化
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 3586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2003.07.002

摘要

详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应.通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响.在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式.采用优化结果进行设计,可以使Q得到明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛军发	上海交通大学电子工程系	84	256	8.0	11.0
2	王彬	上海交通大学电子工程系	27	88	6.0	7.0
3	潘瑞	上海交通大学电子工程系	2	24	2.0	2.0