预充电荷对RSD开通特性的影响

• 作者: 余岳辉 彭昭廉 杜如峰 胡乾
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件/预充电荷 开通特性
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 84-86,89
• 页数: 4页
• 分类号: TN34|TN32
• 字数: 3155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2003.05.028

摘要

RSD(Reversely Switched Dynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式.从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符.最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余岳辉		60	621	14.0	22.0
2	杜如峰		5	134	4.0	5.0
3	胡乾		5	134	4.0	5.0
4	彭昭廉		9	179	7.0	9.0