RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

• 作者: 刘宏新 刘成海 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王军喜 王晓亮 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 602-605
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.008

摘要

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2×1018cm-3,相应的电子迁移率为221cm2/(V*s);1μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm2/(V*s),相应的二维电子气面密度为7.5×1012cm-2.