微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析

• 作者: 宗登刚 王聪和 王钻开 陆德仁
• 来源期刊: 机械强度
• 关键词: 微电子机械系统 微桥 低压化学气相淀积 氮化硅 弹性模量 残余应力 弯曲强度
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子机械系统
• 页码范围: 395-400
• 页数: 6页
• 分类号: O343
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9669.2003.04.010

摘要

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能.对符合弹性验则的微桥进行测试,在考虑衬底变形的基础上,利用最小二乘法对其载荷-挠度曲线进行拟合,得到低应力low pressure chemical vapour deposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为314.0 GPa±29.2 GPa, 残余应力为265.0 MPa±34.1 MPa.探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响,得到低应力氮化硅的弯曲强度为6.9 GPa±1.1 GPa.对微桥法测量误差的分析表明,衬底变形、微桥长度和厚度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆德仁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	11	105	7.0	10.0
2	王钻开	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	4	30	3.0	4.0
3	宗登刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	4	26	3.0	4.0
5	王聪和	香港理工大学应用物理系	4	35	3.0	4.0