砷化镓微波单片集成电路的失效分析

• 作者: 吴海东 张增照 莫郁薇 郑丽香
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 微波单片集成电路 失效分析
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TN454
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.09.012

摘要

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫郁薇		7	30	4.0	4.0
2	张增照		11	56	5.0	6.0
3	郑丽香		3	12	2.0	3.0
4	吴海东		4	24	4.0	4.0