用薄膜内耗仪测定薄膜应力

• 作者: M.Wuttig 李健
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 内耗 形状记忆效应 薄膜应力
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 页码范围: 1225-1227
• 页数: 3页
• 分类号: TG111.7|TG113.226
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.028

摘要

采用一种新的薄膜内耗仪观测Ni50Ti50薄膜样品的形变(薄膜形变造成薄膜与载膜硅片之间的界面应力)随温度或其它环境参量的变化.同步测量了薄膜的内耗、动态模量、薄膜应力以及Ni50Ti50薄膜的相变过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	上海宝山钢铁股份公司分析技术中心	1	0	0.0	0.0