利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜

• 作者: 刘益春 吕有明 张吉英 李炳辉 梁红伟 申德振 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 等离子体辅助分子束外延(P-MBE) X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.03.012

摘要

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火.通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P-MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因.