Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究

• 作者: 孙国胜 孙艳玲 曾一平 李建平 林兰英 王雷 罗木昌 赵万顺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC/p-Si异质结 扫描电子显微镜(SEM) I-V C-V
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 130-134
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.02.005

摘要

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的I-V,C-V特性及I-V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3G-SiC/p-Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p-Si异质结构的I-V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上.室温下Al电极3C-SiC/p-Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1.95.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所	251	4235	35.0	54.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
4	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
5	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
6	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
7	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
8	孙艳玲	中国科学院半导体研究所	6	172	5.0	6.0