应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

• 作者: 刘峰奇 孟宪权 张子旸 张存洲 徐波 李乙钢 李成明 潘士宏 王占国 金鹏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsP 量子阱激光器 调制光谱 Franz-Keldysh振荡
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 11-13,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN365|O433
• 字数: 1666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.03.003

摘要

利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In0.758Ga0.242As0.83P0.17与In0.758Ga0.242As0.525P0.475四元合金应变界面的导带不连续性.