均衡压力场平面抛光技术的研究

• 作者: 孙军 杨信伟 王军
• 来源期刊: 机械设计与制造
• 学科: 工学
• 关键词: 超精密加工 抛光 半导体晶片 平面度 压强分布
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 综述与简讯
• 页码范围: 124-125
• 页数: 2页
• 分类号: TP24
• 字数: 1697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3997.2003.03.061

摘要

这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片的平面加工问题.使用该项技术可使半导体晶片抛光的平面度达到 0.25～ 0.33μ m/Φ 76mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙军		97	436	11.0	14.0
2	王军		100	547	12.0	17.0
3	杨信伟		3	10	2.0	3.0