应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究

• 作者: 叶小玲 徐波 王占国 钱家骏 陈涌海 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 分类号: O433.2
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.011

摘要

采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	92	929	15.0	27.0
2	韩勤	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	24	164	7.0	12.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
4	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	16	40	4.0	5.0
5	钱家骏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	3	7	1.0	2.0
6	叶小玲	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	9	25	3.0	4.0