二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

• 作者: 刘建强 季怡萍 张其震 张静智 李光 殷晓颖 赵晓光
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 第二代 4-丁氧基偶氮苯
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 416-421
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 4805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2003.03.022

摘要

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵晓光	中国科学院长春应用化学研究所	36	554	12.0	22.0
2	张其震	山东大学化学化工学院	63	616	13.0	19.0
3	刘建强	山东大学化学化工学院	47	225	8.0	12.0
4	殷晓颖	山东大学化学化工学院	13	73	6.0	7.0
5	张静智	山东大学化学化工学院	13	71	6.0	7.0
6	李光	中国科学院长春应用化学研究所	38	138	7.0	9.0
7	季怡萍	中国科学院长春应用化学研究所	57	321	10.0	15.0