具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性

• 作者: 方健 李肇基 罗卢杨 罗萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI LDMOS RESURF
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 194-197
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.017

摘要

提出了一种具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS,借助2D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析,结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐压下,具有器件长度小,漂移区浓度高,导通电阻小的特点.这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法.该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径.