低温下应变外延层的单层生长

• 作者: 曾一平 朱占平 段瑞飞 王宝强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs/GaAs 分子束外延 原子力显微镜 外延层 单层生长
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 362-365
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.006

摘要

用接触式原子力显微镜来观察460℃低温下生长的In0.35Ga0.65As/GaAs外延层形貌.实验发现,这种460℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的FvdM生长模式也不是岛状的SK自组织生长模式,而是由原子单层构成的梯田状大岛.原子力显微镜测试表明台阶的厚度为0.28nm,约为一个原子单层,这种介于层状和岛状生长之间的模式有助于了解失配异质外延的生长过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
2	段瑞飞	中国科学院半导体研究所新材料部	8	34	4.0	5.0
3	王宝强	中国科学院半导体研究所新材料部	9	21	2.0	4.0
4	朱占平	中国科学院半导体研究所新材料部	3	6	1.0	2.0