体硅衬底上的CMOS FinFET

• 作者: 徐秋霞 殷华湘
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FinFET 凹槽 设计 制作 器件特性 CMOS 体硅
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 351-356
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.004

摘要

介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET.除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET,同时该器件结构与传统的CMOS工艺完全相容,并应用了自对准硅化物工艺.实验中制作了多种应用该结构的CMOS单管以及CMOS反相器、环振电路,并包括常规的多晶硅和W/TiN金属两种栅电极.分析了实际栅长为110nm的硅基CMOS FinFET的驱动电流和亚阈值特性.反相器能正常工作并且在Vd=3V下201级CMOS环振的最小延迟为146ps/门.研究结果表明在未来VLSI制作中应用该结构的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
2	殷华湘	中国科学院微电子中心	11	23	3.0	4.0