GaN纳米线的成核及生长机制研究

• 作者: 俞大鹏 贾圣果
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 成核 催化剂 生长机理
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 336-340
• 页数: 5页
• 分类号: O488
• 字数: 2507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2003.03.007

摘要

报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响.通过分析GaN纳米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系,详细研究了GaN纳米线的生长过程.这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理,实现纳米材料的可控制生长,并有可能直接应用于GaN纳米器件的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞大鹏		4	38	3.0	4.0
2	贾圣果		1	18	1.0	1.0