多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

• 作者: 刘志农 刘志弘 张伟 李高庆 林惠旺 熊小义 许军 许平 钱佩信 陈培毅 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 异质结双极晶体管 微波功率放大器
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 897-902
• 页数: 6页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.001

摘要

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.