工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用

• 作者: 张文俊 李成 杨之廉 郑期彤 鲁勇
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 工艺综合 MOSFET 双极器件 响应表面法
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2003.01.011

摘要

工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MOSPAD软件系统.在工艺综合系统中,使用响应表面法可加速综合的速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	清华大学微电子学研究所	32	225	10.0	14.0
2	张文俊	清华大学微电子学研究所	30	1031	6.0	30.0
3	杨之廉	清华大学微电子学研究所	27	1025	6.0	27.0
4	鲁勇	清华大学微电子学研究所	10	33	4.0	5.0
5	郑期彤	清华大学微电子学研究所	3	4	2.0	2.0