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摘要:
以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒.用XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究.结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系.
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文献信息
篇名 管式电炉合成氮化镓晶粒的研究
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 氮化镓 Ga2O3 氨气
年,卷(期) 2003,(11) 所属期刊栏目 纳米材料与结构
研究方向 页码范围 27-29
页数 3页 分类号 TN304.23
字数 1252字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.11.006
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
Ga2O3
氨气
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研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
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22
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