AlGaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

• 作者: 刘鲁 范广涵 陈练辉 陈贵楚
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP LED Al组分
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 595-598
• 页数: 4页
• 分类号: TN383+.1|TN209
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.018

摘要

鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强.这个最佳A1组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0
3	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
4	刘鲁	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	19	3.0	4.0