CuO添加的BiNbO4微波材料的研究

• 作者: 丁士华 刘艳平 姚熹 张德生 张良莹
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: BiNbO4微波陶瓷 CuO 介电性能
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TM534
• 字数: 1928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2003.01.016

摘要

讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响.结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低.Q×f降低的原因主要与添加后引起的介电弛豫有关,也与添加后第二相的出现及晶粒尺寸减小有关.最佳的CuO的添加量为0.2%(质量比),添加后材料可在920 °C烧结,介电性能为:εr≈45(5 GHz),Q×f≥10 THz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
5	丁士华	同济大学功能材料研究所	15	66	5.0	7.0
6	张良莹	同济大学功能材料研究所	81	658	13.0	19.0
7	刘艳平	同济大学功能材料研究所	6	63	4.0	6.0
8	张德生	同济大学功能材料研究所	5	24	4.0	4.0