In3+离子在多孔SiO2干凝胶中的发光

• 作者: 杨中喜 杨萍 王建荣 王英姿
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: sol-gel SiO2干凝胶 In3+掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 74-76,91
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2003.01.017

摘要

采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2干凝胶,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2网络中,展示了一种新颖的发光现象,改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱.这种掺杂的多孔SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成,短波长的发光峰在440nm(λex＝380nm),其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2干凝胶的4倍;长波长的发光峰(In3+离子在多孔SiO2干凝胶的特征发射)在600nm(λex＝476nm),其相对荧光强度约是In3+掺杂ZnS纳米晶的10倍.由此可以看出:掺杂的多孔SiO2干凝胶是一种高效的发光材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中喜	济南大学材料科学与工程学院	40	502	10.0	21.0
2	王英姿	济南大学材料科学与工程学院	74	832	15.0	25.0
3	杨萍	山东大学晶体材料研究所	13	79	5.0	8.0
4	王建荣	济南大学材料科学与工程学院	19	44	4.0	6.0