超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

• 作者: 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 NBTI效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 626-630
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.013

摘要

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0