等离子平板显示选址芯片设计

• 作者: 吴建辉 孙伟锋 李红 陆生礼
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子平板显示 高压CMOS 高/低压兼容 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 短文
• 页码范围: 123-126
• 页数: 4页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2003.05.027

摘要

采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构-HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容.同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICI分析其电流-电压和击穿等特性,说明该结构可以满足设计要求.