VEGF在大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤中的表达变化

• 作者: 张睿 徐洋 房学迅 林世和
• 来源期刊: 北华大学学报(自然科学版)
• 学科: 医学
• 关键词: 血管内皮生长因子 脑缺血/再灌注:凋亡
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 生物科学·医药卫生
• 页码范围: 219-222
• 页数: 4页
• 分类号: R743.31|R361.2
• 字数: 3110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-4822.2003.03.012

摘要

目的研究局灶性脑缺血再灌注中心区、半影区VEGF表达的动态变化及意义.方法采用线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型.采用神经病学评分、TTC染色、光镜检测对模型予以评价.在此基础上采用免疫组化技术,观察缺血3h及缺血3h再灌注3,6,24,72 h缺血中心区及半影区VEGF表达的动态变化,以及观察相应时间点缺血中心区及半影区病理组织学变化.结果正常对照组及假手术组VEGF呈阳性表达,缺血3h及缺血3h再灌注3,6 h中心区及半影区VEGF表达明显增强,缺血3 h再灌注24,72 h缺血中心区VEGF表达接近正常,而此时半影区呈升高趋势,24 h达到高峰,72 h有所下降(与假手术组相比,P＜0.05).相应神经元的病理组织学变化也随再灌注时间的延长而加重.结论正常脑组织中VEGF呈弱阳性表达,缺血半影区随缺血再灌注时间延长表达增强.随着缺血再灌注时间延长,中心区神经细胞以坏死为主,半影区以神经细胞以凋亡为主.提示VEGF对脑缺血损伤后的神经细胞有保护和修复作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张睿		29	71	4.0	6.0
2	房学迅		21	131	7.0	11.0
3	林世和		56	182	8.0	9.0
4	徐洋		18	34	3.0	5.0