在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展

• 作者: 王启明 黄昌俊
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 Si基光电子学 自组装纳米结构
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 528-532
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 6183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.08.007

摘要

在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性,使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强,同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件.文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/Si量子点生长研究的重要进展,对其潜在的重要应用作出了评述.结合作者自己的研究结果,着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程,指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构,其发光效率比一维量子阱有很大增强.探讨了用模板衬底实现对Ge量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	黄昌俊	中国科学院半导体研究所集成光电国家重点联合实验室	6	33	3.0	5.0